为提供卓越的意法效率和功率密度，意法半导体加快了氮化镓（GaN）电源（PSU）的半导设计进程，推出了基于MasterGaN1L系统级封装（SiP）的体推EVL250WMG1L谐振转换器参考设计。

意法半导体的谐振MasterGaN-SiPs将GaN功率晶体管与经特殊优化的栅极驱动器相结合，以确保开关快速且受控。转换使用此类SiP代替分立器件的器参等效网络有助于增强性能和可靠性，同时加速设计并节省PCB空间。考设

全新的意法参考设计针对的是空间有限但效率至关重要的工业应用。结合MasterGaN1L（含两个650V 150m GaN-FET，半导采用意法半导体的体推L6599A谐振控制器），PSU的谐振峰值效率超过94%，且能在初级侧无散热器的转换情况下运行。该装置还利用了意法半导体的器参SRK2001A同步整流控制器，80mmx50mm的考设整体尺寸十分紧凑，功率密度高达34W/inch^3。意法

PSU可提供高达10A的输出电流，相当于24Vdc下的250W，同时待机电流消耗低于1µA，拥有出色的节能效果。L6599A和SRK2001A内置的保护功能可确保对过电流、短路和过电压的弹性保护，而输入电压监测则可确保启动正确并提供欠压锁定功能。

关键特性

紧凑的高效率解决方案，面向使用

MasterGaN1L转换

输出电压：24V

输出功率：高达250W

标称输入电压：400V+/-10%

效率：>92%

输出具有短路和过电流保护

输入电压监控用于管理正确的D2D转换器序列，并具有欠压保护功能

板子尺寸：80x50（WxH）mm。最大组件高度：30mm

符合WEEE和RoHS标准

EVL250WMG1L现已上市，整套预装系统可直接进行测试验证。产品页面上发布了全面的相关文档，以帮助系统设计者加快GaN电源项目。